رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDA16N50LDTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDA16N50LDTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN (L-Forming)
المخزون:
12849953
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDA16N50LDTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1945 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
205W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN (L-Forming)
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
رقم المنتج الأساسي
FDA16N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2166-FDA16N50LDTU-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFQ20N50P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
294
DiGi رقم الجزء
IXFQ20N50P3-DG
سعر الوحدة
2.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTQ16N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
13
DiGi رقم الجزء
IXTQ16N50P-DG
سعر الوحدة
2.38
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDA16N50-F109
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
270
DiGi رقم الجزء
FDA16N50-F109-DG
سعر الوحدة
1.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDPF5N50NZ
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FCP21N60N
MOSFET N-CH 600V TO220-3
AOTF8N50
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3F
