FQA7N80C
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQA7N80C

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQA7N80C-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

12849960
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQA7N80C المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1680 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
198W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA7

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FCP150N65F

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO3407A

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L

alpha-and-omega-semiconductor

AOD3C50

MOSFET N-CH 500V 3A TO252

onsemi

FDB024N04AL7

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7