الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB039N06
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB039N06-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12836090
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB039N06 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.9mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8235 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
231W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB039
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB039N06DKR
FDB039N06CT
FDB039N06TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUK964R4-40B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7464
DiGi رقم الجزء
BUK964R4-40B,118-DG
سعر الوحدة
1.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB80N06S405ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
753
DiGi رقم الجزء
IPB80N06S405ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.78
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB029N06N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
29422
DiGi رقم الجزء
IPB029N06N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB037N06N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
IPB037N06N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN4R6-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10374
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUF75639P3
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
FQB4P25TM
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
AUIRFS3006-7P
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
FQD7P06TM
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK