رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB14N30TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB14N30TM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 14A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12838956
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB14N30TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1060 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB14N30
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB14N30TMTR
FDB14N30TMDKR
FDB14N30TMCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCB260N65S3
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6
DiGi رقم الجزء
FCB260N65S3-DG
سعر الوحدة
1.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7309
DiGi رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA76423D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FDR840P
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
HUF76639S3S
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
