FDB3652
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDB3652

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDB3652-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

12850153
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDB3652 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 61A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 61A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2880 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB365

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB3652DKR
FDB3652TR
FDB3652-DG
FAIFSCFDB3652
2156-FDB3652
FDB3652CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STB80NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
775
DiGi رقم الجزء
STB80NF10T4-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB70N10S3L12ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
15020
DiGi رقم الجزء
IPB70N10S3L12ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN015-100B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2021
DiGi رقم الجزء
PSMN015-100B,118-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB144N12N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2576
DiGi رقم الجزء
IPB144N12N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN016-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3321
DiGi رقم الجزء
PSMN016-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDS2734

MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC

onsemi

EMH1405-P-TL-H

MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF16N50

MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3F

onsemi

FQA11N90-F109

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN