رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB144N12N3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB144N12N3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
2576 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801399
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB144N12N3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
56A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.4mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 61µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3220 pF @ 60 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB144
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000694166
IPB144N12N3 GDKR-DG
IPB144N12N3 GCT-DG
IPB144N12N3 G
IPB144N12N3G
IPB144N12N3GATMA1CT
IPB144N12N3 G-DG
IPB144N12N3GATMA1TR
IPB144N12N3 GTR-DG
IPB144N12N3 GCT
IPB144N12N3 GDKR
IPB144N12N3GATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
