رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC5612

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC5612-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6

وصف تفصيلي:

N-Channel 60 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

4007 قطع جديدة أصلية في المخزون

12850493

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDC5612 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

4.3A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

6V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

55mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

650 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.6W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SuperSOT™-6

العبوة / العلبة

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

رقم المنتج الأساسي

FDC5612

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDC5612CT

FDC5612TR

FDC5612DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQA32N20C

MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN

FDMB506P

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

alpha-and-omega-semiconductor

AOI5N40

MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A

onsemi

FDPF44N25TRDTU

MOSFET N-CH 250V 44A TO220F