رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDC5614P_D87Z
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDC5614P_D87Z-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
المخزون:
12849944
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDC5614P_D87Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
759 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC5614
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDC5614P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
28526
DiGi رقم الجزء
FDC5614P-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
ZXMP6A17E6TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
19040
DiGi رقم الجزء
ZXMP6A17E6TA-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDA16N50LDTU
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
FDPF5N50NZ
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FCP21N60N
MOSFET N-CH 600V TO220-3
