رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDFMA2N028Z
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDFMA2N028Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
المخزون:
464 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849892
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDFMA2N028Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
455 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.4W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-MicroFET (2x2)
العبوة / العلبة
6-VDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
FDFMA2
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDFMA2N028ZTR
FDFMA2N028ZDKR
FDFMA2N028ZCT
1990-FDFMA2N028ZDKR
1990-FDFMA2N028ZCT
1990-FDFMA2N028ZTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDFMA2N028Z
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
464
DiGi رقم الجزء
FDFMA2N028Z-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
