FDG314P

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDG314P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDG314P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88

وصف تفصيلي:

P-Channel 25 V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12848108

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDG314P المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

25 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

650mA (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

2.7V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

1.5 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

63 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

750mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SC-88 (SC-70-6)

العبوة / العلبة

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

رقم المنتج الأساسي

FDG314

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء

NTJS4151PT1G

المُصنِّع

onsemi

الكمية المتاحة

10423

DiGi رقم الجزء

NTJS4151PT1G-DG

سعر الوحدة

0.08

نوع الاستبدال

Similar

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

CPH6350-TL-W

MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH

onsemi

FDZ294N

MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA

alpha-and-omega-semiconductor

AOT42S60L

MOSFET N-CH 600V 37A TO220

onsemi

FDD6512A

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK