رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG329N
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG329N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
12846860
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG329N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
324 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
420mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
FDG329
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTJS3157NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13900
DiGi رقم الجزء
NTJS3157NT1G-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS6688S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FDMC86520DC
MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
FQB13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
