FDG6306P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDG6306P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDG6306P-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

المخزون:

30 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847995
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDG6306P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
600mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
114pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
رقم المنتج الأساسي
FDG6306

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDG6306P-DG
ONSONSFDG6306P
FDG6306PTR
FDG6306PCT
FDG6306PDKR
2156-FDG6306P-OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
NTJD4152PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
15411
DiGi رقم الجزء
NTJD4152PT1G-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NVMFD5877NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN

onsemi

FDMD86100

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6

onsemi

FDC6561AN

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

onsemi

FDMA6023PZT

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET