FDJ1027P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDJ1027P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDJ1027P-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC75-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.8A 900mW Surface Mount SC75-6 FLMP

المخزون:

12837494
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDJ1027P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
290pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75-6 FLMP
حزمة جهاز المورد
SC75-6 FLMP
رقم المنتج الأساسي
FDJ1027

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

ECH8602M-TL-H

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8ECH

onsemi

FDS4935BZ

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC

onsemi

FDW2507NZ

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP

onsemi

FDS89161

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC