رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDM606P
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDM606P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 6.8A (Tc) 1.92W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)
المخزون:
12846291
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDM606P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2200 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.92W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MLP, MicroFET (3x2)
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
FDM606
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTHS4101PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8830
DiGi رقم الجزء
NTHS4101PT1G-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD5P20TM_F080
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
AON7426
MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
FDP5680
MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3