FDMA1029PZ

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMA1029PZ

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMA1029PZ-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 20V 3.1A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)

المخزون:

8411 قطع جديدة أصلية في المخزون

12838820

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMA1029PZ المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 P-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

3.1A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

95mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

10nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

540pF @ 10V

الطاقة - الحد الأقصى

700mW

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

6-WDFN Exposed Pad

حزمة جهاز المورد

6-WDFN (2x2)

رقم المنتج الأساسي

FDMA1029

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMA1029PZDKR

FDMA1029PZTR

FDMA1029PZCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDS4897AC

MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC

onsemi

EFC6601R-TR

MOSFET 2N-CH EFCP2718

onsemi

FDW2507N

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP

onsemi

ECH8660-S-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8