رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMA6676PZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMA6676PZ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
المخزون:
12846286
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMA6676PZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2160 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-MicroFET (2x2)
العبوة / العلبة
6-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMA6676
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMA6676PZTR
FDMA6676PZCT
FDMA6676PZDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA75652G3
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
FDM606P
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
FQD5P20TM_F080
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
