FDMA86265P

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMA86265P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMA86265P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET

وصف تفصيلي:

P-Channel 150 V 1A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

المخزون:

24000 قطع جديدة أصلية في المخزون

12848346

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMA86265P المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

150 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

1A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

6V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

1.2Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

4 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±25V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

210 pF @ 75 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.4W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

6-MicroFET (2x2)

العبوة / العلبة

6-WDFN Exposed Pad

رقم المنتج الأساسي

FDMA86265

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMA86265PCT

FDMA86265PDKR

1990-FDMA86265PCT

1990-FDMA86265PTR

FDMA86265PTR

1990-FDMA86265PDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQP34N20

MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD240

MOSFET N-CH 40V 23A/70A TO252

onsemi

FQD17N08LTF

MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252

EFC4619R-A-TR

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP