رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC6688P
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC6688P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
المخزون:
12838812
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC6688P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Ta), 56A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
61 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7435 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC6688
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC6688PDKR
FDMC6688PCT
FDMC6688PTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PJQ4411P_R2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
4934
DiGi رقم الجزء
PJQ4411P_R2_00001-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD5N50CTM_F080
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
HUF75321D3
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
IRF530A
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
