رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC7582
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC7582-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 16.7A/49A PWR33
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 16.7A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount Power33
المخزون:
12847963
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC7582 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.7A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5mOhm @ 16.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1795 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Power33
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC75
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC7582CT
FDMC7582-DG
FDMC7582TR
FDMC7582DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD16413Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
1314
DiGi رقم الجزء
CSD16413Q5A-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD16340Q3T
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
2735
DiGi رقم الجزء
CSD16340Q3T-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF14N30
MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F
MMFT2406T1
MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223
IPD60R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
