رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMD8540L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMD8540L-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 33A, 156A 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
المخزون:
12837321
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMD8540L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A, 156A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
113nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7940pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
2.3W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
8-Power 5x6
رقم المنتج الأساسي
FDMD8540
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMD8540LDKR
FDMD8540LTR
FDMD8540LCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS4935A
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
FDMJ1032C
MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
BUK9K5R6-30EX
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
