FDW2503N

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDW2503N

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDW2503N-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 20V 5.5A 600mW Surface Mount 8-TSSOP

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12837413

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDW2503N المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

5.5A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

17nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1082pF @ 10V

الطاقة - الحد الأقصى

600mW

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-TSSOP

رقم المنتج الأساسي

FDW25

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

EFC4627R-TR

MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP

onsemi

EFC2K101NUZTDG

MOSFET 2N-CH 12V 15A 6WLCSP

onsemi

FDJ1027P

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC75-6

onsemi

ECH8602M-TL-H

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8ECH