رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDME430NT
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDME430NT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
المخزون:
12851330
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDME430NT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
760 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MicroFet 1.6x1.6 Thin
العبوة / العلبة
6-PowerUFDFN
رقم المنتج الأساسي
FDME43
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
FDME430NT-DG
FDME430NTCT
FDME430NTTR
FDME430NTDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDT439N
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
18318
DiGi رقم الجزء
FDT439N-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQNL1N50BTA
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
HUF75639S3
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
HUF75631S3S
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
