رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS0309AS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS0309AS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
5988 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836884
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS0309AS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS03
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1990-FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR-DG
FDMS0309ASCT-DG
FDMS0309ASDKR-DG
FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR
1990-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASCT
488-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASTR
FDMS0309ASDKR
1990-FDMS0309ASTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDBL86361-F085
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
FDW256P
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
FDMC007N08LC
MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
