FDMS0309AS
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS0309AS

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS0309AS-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

5988 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836884
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMS0309AS المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS03

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1990-FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR-DG
FDMS0309ASCT-DG
FDMS0309ASDKR-DG
FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR
1990-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASCT
488-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASTR
FDMS0309ASDKR
1990-FDMS0309ASTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDBL86361-F085

MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF

onsemi

FDW256P

MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP

onsemi

FDMC007N08LC

MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN

onsemi

FQB12N50TM_AM002

MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK