رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS4435BZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS4435BZ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
13546 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847956
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS4435BZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2050 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS4435
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ONSFSCFDMS4435BZ
FDMS4435BZTR
2156-FDMS4435BZ-OS
FDMS4435BZCT
FDMS4435BZDKR
FDMS4435BZ-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO4728
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
IPB60R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
FQA5N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
