FDMS86163P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS86163P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS86163P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

12848315
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMS86163P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.9A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4085 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS86163

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS86163PDKR
FDMS86163PTR
FDMS86163PCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDFMA3N109

MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

onsemi

FDP150N10A

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

infineon-technologies

IPI90N04S402AKSA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3

onsemi

MTD6N20ET4G

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK