رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS86300
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS86300-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
1497 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837615
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS86300 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.9mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7082 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS86
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2832-FDMS86300TR
FDMS86300DKR
FDMS86300TR
FDMS86300CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AON6278
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
44893
DiGi رقم الجزء
AON6278-DG
سعر الوحدة
0.98
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STL130N8F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5334
DiGi رقم الجزء
STL130N8F7-DG
سعر الوحدة
1.24
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS4141-F085
MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
FDP8880
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3
FDD8580
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
