الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS8670AS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS8670AS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839872
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS8670AS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta), 42A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3615 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS86
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FDMS8670AS
ورقة بيانات HTML
FDMS8670AS-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS8670ASDKR
FDMS8670ASTR
FDMS8670ASCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD17501Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
6998
DiGi رقم الجزء
CSD17501Q5A-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSC025N03MSGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BSC025N03MSGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TSM036N03PQ56 RLG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
418
DiGi رقم الجزء
TSM036N03PQ56 RLG-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17306Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
5251
DiGi رقم الجزء
CSD17306Q5A-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSC020N03MSGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
32523
DiGi رقم الجزء
BSC020N03MSGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF5N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
NTD4906N-1G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
FDN537N
MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
NTD4913NT4G
MOSFET N-CH 30V 7.7A/32A DPAK