FDMS8820

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS8820

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS8820-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 28A (Ta), 116A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

10003 قطع جديدة أصلية في المخزون

12850789

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMS8820 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

28A (Ta), 116A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

88 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

5315 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta), 78W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PQFN (5x6)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMS88

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMS8820-DG

FDMS8820DKR

FDMS8820CT

FDMS8820TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDB8896

MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB

onsemi

FDMC86184

MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN

onsemi

FCP125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6204

MOSFET N-CH 30V 14A/24A 8DFN