رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDN5630
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDN5630-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
5620 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836551
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDN5630 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
FDN563
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDN5630CT
FDN5630_F095CT-DG
FDN5630TR
ONSONSFDN5630
FDN5630_F095TR
FDN5630_F095TR-DG
FDN5630_F095DKR-DG
FDN5630_F095
FDN5630_F095DKR
FDN5630_F095CT
FDN5630DKR
2156-FDN5630-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLR110ATF
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
FQA44N10
MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
