رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP045N10A-F102
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP045N10A-F102-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
400 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837509
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP045N10A-F102 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5270 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
263W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP045
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FDP045N10A_F102-DG
FDP045N10A_F102
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS2504SDC
MOSFET N-CH 25V 42A/49A DLCOOL56
FDD6637
MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
FDD86102
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
