رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP12N50
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP12N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12839051
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP12N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1315 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
165W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP12
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFP12N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
300
DiGi رقم الجزء
IXFP12N50P-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP12N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
73
DiGi رقم الجزء
IXTP12N50P-DG
سعر الوحدة
1.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT9N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOT9N50-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP8NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
996
DiGi رقم الجزء
STP8NM50N-DG
سعر الوحدة
0.88
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD86381-F085
MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
FCPF380N60E-F152
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
