رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP12N50NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP12N50NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12836961
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP12N50NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET-II™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
520mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1235 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP12
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
ONSONSFDP12N50NZ
488-FDP12N50NZ
2156-FDP12N50NZ-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP11NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
826
DiGi رقم الجزء
STP11NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCP360N65S3R0
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
411
DiGi رقم الجزء
FCP360N65S3R0-DG
سعر الوحدة
1.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFB11N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2122
DiGi رقم الجزء
IRFB11N50APBF-DG
سعر الوحدة
0.98
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUF75637P3
MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
FDMS8570S
MOSFET N-CH 25V 24A/60A 8PQFN
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
