رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP16AN08A0
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP16AN08A0-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
766 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838238
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP16AN08A0 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 58A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1857 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
135W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP16
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FDP16AN08A0FS
2156-FDP16AN08A0-OS
FAIFSCFDP16AN08A0
FDP16AN08A0-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP032N08B-F102
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
FDMS86320
MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
FDC30N20DZ
MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6
