FDP7N60NZ
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDP7N60NZ

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDP7N60NZ-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12838141
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDP7N60NZ المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET-II™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
730 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
147W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP7

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FDP7N60NZ Datasheet

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FDP7N60NZOS
FAIFSCFDP7N60NZ
2156-FDP7N60NZ-OS
FDP7N60NZ-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STP8N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
113
DiGi رقم الجزء
STP8N80K5-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP7N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2571
DiGi رقم الجزء
STP7N60M2-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFBC40LCPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1068
DiGi رقم الجزء
IRFBC40LCPBF-DG
سعر الوحدة
1.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
26
DiGi رقم الجزء
STP6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP10N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
242
DiGi رقم الجزء
IXFP10N80P-DG
سعر الوحدة
2.72
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDS3580

MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC

onsemi

FQPF6N40CF

MOSFET N-CH 400V 6A TO220F

onsemi

FDN5618P_G

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

onsemi

FQA46N15

MOSFET N-CH 150V 50A TO3P