FDPF18N50
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDPF18N50

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDPF18N50-DG

وصف:

MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

6866 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838619
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDPF18N50 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
265mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2860 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FDPF18

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
ONSONSFDPF18N50
2156-FDPF18N50-OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDMS86520

MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN

onsemi

FDN8601

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FQU1N60TU

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

onsemi

FDS4480

MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC