رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDPF3860TYDTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDPF3860TYDTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
المخزون:
12847009
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDPF3860TYDTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
38.2mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
33.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3 (Y-Forming)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
FDPF3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFI540NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFI540NPBF-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD4141
MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
FCP190N60-GF102
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
FDP61N20
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
