رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDPF8N50NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDPF8N50NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
29 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849231
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDPF8N50NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
735 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FDPF8
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FDPF8N50NZ-OS
FAIFSCFDPF8N50NZ
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R5009ANX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
R5009ANX-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK8A50D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
43
DiGi رقم الجزء
TK8A50D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
