الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK8A50D(STA4,Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK8A50D(STA4,Q,M)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
43 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891007
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
R
t
N
j
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK8A50D(STA4,Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
π-MOSVII
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK8A50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
TK8A50D
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK8A50DSTA4QM
TK8A50D(STA4QM)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFI840GLCPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
113
DiGi رقم الجزء
IRFI840GLCPBF-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF8NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
996
DiGi رقم الجزء
STF8NM50N-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDPF8N50NZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
29
DiGi رقم الجزء
FDPF8N50NZ-DG
سعر الوحدة
1.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDPF12N50T
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
942
DiGi رقم الجزء
FDPF12N50T-DG
سعر الوحدة
1.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK72A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 72A TO220SIS
TK42E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 88A TO-220
TPCC8066-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON
2SK4021(Q)
MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2