رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6898AZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6898AZ-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
11881 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847233
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6898AZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1821pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS6898
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6898AZTR
2156-FDS6898AZ-OS
FDS6898AZ-DG
FDS6898AZDKR
ONSONSFDS6898AZ
FDS6898AZCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ECH8659-M-TL-H
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8ECH
FDC6020C
MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
FDMA1025P
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
