الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS8926A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS8926A-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839497
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS8926A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS89
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FDS8926A
ورقة بيانات HTML
FDS8926A-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS8926A-DG
FDS8926ACT
FDS8926ATR
FDS8926ADKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7103TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
9567
DiGi رقم الجزء
IRF7103TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STS8DNF3LL
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4847
DiGi رقم الجزء
STS8DNF3LL-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS8984
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
42685
DiGi رقم الجزء
FDS8984-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN3024LSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
72255
DiGi رقم الجزء
DMN3024LSD-13-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS6890A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDS6890A-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTJD4152PT2G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
FW217A-TL-2WX
MOSFET N-CH 35V 8SOIC
FDMS3600AS
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56
EFC3C001NUZTCG
MOSFET 2N-CH 4WLCSP