رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS9933A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS9933A-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 3.8A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
4518 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840343
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS9933A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS99
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS9933A-DG
FDS9933ATR
FDS9933ADKR
FDS9933ACT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EFC6605R-V-TR
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
EMH2412-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH
QJD1210011
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
