FDS9933A
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS9933A

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS9933A-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 3.8A 900mW Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

4518 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840343
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS9933A المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS99

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS9933A-DG
FDS9933ATR
FDS9933ADKR
FDS9933ACT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

EFC6605R-V-TR

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP

onsemi

EMH2412-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH

powerex

QJD1210011

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

onsemi

NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88