رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDSS2407
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDSS2407-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 62V 3.3A 2.27W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12847569
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDSS2407 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
62V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.3nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2.27W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDSS24
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2832-FDSS2407TR
FDSS2407OS-DG
FDSS2407-DG
FDSS2407OS
FDSS2407TR
2832-FDSS2407-488
FDSS2407OSINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS9953A
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
FDMS3606AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
FDG6332C-F085P
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
