FDY302NZ
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDY302NZ

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDY302NZ-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 600mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

المخزون:

16 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846423
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDY302NZ المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
600mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-89-3
العبوة / العلبة
SC-89, SOT-490
رقم المنتج الأساسي
FDY302

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDY302NZCT
FDY302NZTR
FDY302NZDKR
FDY302NZ-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDFS2P106A

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

onsemi

FDB42AN15A0-F085

MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK

onsemi

FDMC86259P

MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33

alpha-and-omega-semiconductor

AON7508

MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN