FQA10N60C

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQA10N60C

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQA10N60C-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 10A TO3P

وصف تفصيلي:

N-Channel 600 V 10A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12850042

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FQA10N60C المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

QFET®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

600 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

10A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

730mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

57 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±30V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2040 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

192W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

TO-3P

العبوة / العلبة

TO-3P-3, SC-65-3

رقم المنتج الأساسي

FQA1

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

30

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQI27N25TU

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

onsemi

FCPF190N60

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AON6268

MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN

onsemi

FDT55AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4