FQA24N60
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQA24N60

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQA24N60-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 23.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN

المخزون:

270 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838022
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQA24N60 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
240mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
310W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA24

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-FQA24N60-OS
ONSONSFQA24N60
FQA24N60-DG
FQA24N60FS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FCP165N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3

onsemi

FDZ204P

MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA

onsemi

FQB9P25TM

MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK

onsemi

FQPF5N60CYDTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3