FQA36P15_F109
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQA36P15_F109

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQA36P15_F109-DG

وصف:

MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
وصف تفصيلي:
P-Channel 150 V 36A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-3PN

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12840502
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQA36P15_F109 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3320 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
294W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA3

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTD5865NT4G

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

onsemi

FDMA430NZ

MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

onsemi

NVMFS5C423NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN

onsemi

FQU17P06TU

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK