FQA38N30
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQA38N30

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQA38N30-DG

وصف:

MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

12836661
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQA38N30 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 19.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
290W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA3

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2166-FQA38N30-488
2832-FQA38N30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FDA38N30
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
17406
DiGi رقم الجزء
FDA38N30-DG
سعر الوحدة
1.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW46NF30
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW46NF30-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQP6N90

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3

onsemi

HUFA75321S3ST

MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

onsemi

FQD6N25TM

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

onsemi

FDS7088N3

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO