رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQAF16N50
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQAF16N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PF
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 11.3A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF
المخزون:
12849890
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQAF16N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
320mOhm @ 5.65A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQAF16
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2166-FQAF16N50-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTPF250N65S3H
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
NTPF250N65S3H-DG
سعر الوحدة
1.65
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUZ11_R4941
MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
FDFMA2N028Z
MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
AO4498E
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
