الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD1N80TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD1N80TM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12838579
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD1N80TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
195 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD1N80
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FQD1N80, FQU1N80
مخططات البيانات
FQD1N80TM
ورقة بيانات HTML
FQD1N80TM-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-FQD1N80TM-OS
FQD1N80TM-DG
ONSONSFQD1N80TM
FQD1N80TMDKR
FQD1N80TMCT
FQD1N80TMTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD7NM80
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4929
DiGi رقم الجزء
STD7NM80-DG
سعر الوحدة
1.69
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD1NK80ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
232
DiGi رقم الجزء
STD1NK80ZT4-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQD2N90TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11464
DiGi رقم الجزء
FQD2N90TM-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCB070N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
FDD8444L-F085
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
FQP3P50
MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
FDH3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3