رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD3N60TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD3N60TF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12847005
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD3N60TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD2HNK60Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4443
DiGi رقم الجزء
STD2HNK60Z-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOD3N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
3850
DiGi رقم الجزء
AOD3N60-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPD02N80C3ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8940
DiGi رقم الجزء
SPD02N80C3ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP4N20
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
FDB86360_SN00307
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
FDPF3860TYDTU
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F-3
